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芯联集成申请器件及其制造方法专利，能够避免芯片区的功能结构被压伤，进而提高器件良率
奚诗科技
08-06
【科技】
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摘要金融界2024年8月4日消息，天眼查知识产权信息显示，芯联集成电路制造股份有限公司申请一项名为“MEMS器件及其制造方法“，公开号CN202410511829.1，申请日期为2024年4月。专利摘要显示，芯联集成申请器件及其制造方法专利，能够避免芯片区的功能结构被压伤，进而提高器件良率本发明提供一种MEMS器件及其制造方法，MEMS器件包括：衬底；多层膜层结构，自下向上依次堆叠的形成于所述衬底上；第一焊盘和第二焊盘，形成于所述多层膜层结构中并延伸至顶层所述膜层结构上；虚拟焊盘，形成于顶层所述膜层
金融界2024年8月4日消息，天眼查知识产权信息显示，芯联集成电路制造股份有限公司申请一项名为“MEMS器件及其制造方法“，公开号CN202410511829.1，申请日期为2024年4月。
专利摘要显示，芯联集成申请器件及其制造方法专利，能够避免芯片区的功能结构被压伤，进而提高器件良率本发明提供一种MEMS器件及其制造方法，MEMS器件包括：衬底；多层膜层结构，自下向上依次堆叠的形成于所述衬底上；第一焊盘和第二焊盘，形成于所述多层膜层结构中并延伸至顶层所述膜层结构上；虚拟焊盘，形成于顶层所述膜层结构上，所述虚拟焊盘所在区域的所述多层膜层结构的高度高于所述第一焊盘和所述第二焊盘所在区域的所述多层膜层结构的高度，以使得所述虚拟焊盘远离所述衬底的一面高于延伸至顶层所述膜层结构上的所述第一焊盘和所述第二焊盘远离所述衬底的一面。本发明的技术方案能够避免芯片区的功能结构被压伤，进而提高MEMS器件良率。
