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晶丰明源取得射频开关器件及其制造方法专利,提供了一种新型射频开关器件
奚诗科技 08-09 【科技】 398人已围观
摘要金融界2024年8月9日消息,天眼查知识产权信息显示,上海晶丰明源半导体股份有限公司取得一项名为“射频开关器件及其制造方法“,授权公告号CN113921520B,申请日期为2021年9月。专利摘要显示,本申请公开一种增强型射频开关及其制备方法。本申请提供的一种增强型射频开关器件,从衬底的上表面射频开关器件包括以第一掺杂浓度水平掺杂有第一导电类型的杂质的半导体衬底,以及从衬底的上表面垂直延伸并与所述衬底相连形成的台面。所述台面包括以第二掺杂浓度水平掺杂有第一导电类型的杂质的漂移区,晶丰明源取得射频
金融界2024年8月9日消息,天眼查知识产权信息显示,上海晶丰明源半导体股份有限公司取得一项名为“射频开关器件及其制造方法“,授权公告号CN113921520B,申请日期为2021年9月。
专利摘要显示,本申请公开一种增强型射频开关及其制备方法。本申请提供的一种增强型射频开关器件,从衬底的上表面射频开关器件包括以第一掺杂浓度水平掺杂有第一导电类型的杂质的半导体衬底,以及从衬底的上表面垂直延伸并与所述衬底相连形成的台面。所述台面包括以第二掺杂浓度水平掺杂有第一导电类型的杂质的漂移区,晶丰明源取得射频开关器件及其制造方法专利,提供了一种新型射频开关器件第二掺杂浓度水平小于第一掺杂浓度水平。所述台面形成射频开关器件中的主要电流传导路径。所述射频开关元件还包括绝缘层,设置在衬底的至少一部分上表面和台面的侧壁上,以及设置在绝缘层上表面的至少一部分上的至少一个栅极,栅极至少部分围绕台面。
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